首先,制造器件必須選擇好襯底。與形成異質(zhì)結(jié)材料的晶格相匹配這是必須考 慮到的(當(dāng)然有時(shí)也加緩沖層);要選定生長(zhǎng)面的晶向或偏離一定角度;要有一定 的摻雜濃度;在內(nèi)部和表面的缺陷密度要低、表面平整、光亮、無劃痕;要有適當(dāng) 的厚度用來保證芯片具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。

　　其次是外延生長(zhǎng),作為制造半導(dǎo)體激光器中的重要主體芯片工藝,它的好壞直 接會(huì)導(dǎo)致終器件的優(yōu)劣和成品率的高低。一般常用的外延生長(zhǎng)工藝包括:MOCVD、 LPE、MBE等技術(shù)。

　　再次是掩膜。就是在經(jīng)過光刻后,沉積Si02或Si3N4薄膜,用Si02或Si3N4薄膜 在擴(kuò)散或腐燭時(shí)起到掩蔽作用。這是半導(dǎo)體常規(guī)工藝。由于材料的不同,在不同溫度 下產(chǎn)生的熱腐燭效應(yīng)不同,而在低溫的條件下則會(huì)減小或者去除這種效應(yīng),正因?yàn)槿?此,沉積薄膜一般都是在低溫條件下進(jìn)行的。

　　第四是腐燭,這一步十分關(guān)鍵,它分干法腐蝕和濕法腐燭兩類,各有自己的適用 范圍。在設(shè)計(jì)每個(gè)激光器時(shí),它的結(jié)構(gòu)和選用的材料都會(huì)根據(jù)要求的不同有所差異, 腐蝕就是在材料和結(jié)構(gòu)不同的情況下,為了得到所要求各種形狀的加工工藝。常用化 學(xué)刻燭法來得到形狀各異的V形、正梯形、倒梯形溝槽,或凸起的脊形條、臺(tái)階(特 別精細(xì)的結(jié)構(gòu)除外)。為了達(dá)到對(duì)側(cè)模的操控,需要對(duì)腐燭后的器件再次進(jìn)行外延生 長(zhǎng),這樣就形成了折射率導(dǎo)引激光器。干法腐蝕主要用做微小尺寸的精細(xì)刻蝕。 擴(kuò)散技術(shù)是半導(dǎo)體器件制造中釆用十分普遍的通用工藝,占有重要地位。它可以 改變半導(dǎo)體材料的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),從而得到所需要的材料。

　　芯片的減薄與拋光。這步具體是通過研磨和拋光工藝,減小芯片歐姆接觸 的電阻和減少器件發(fā)熱,去除上述表面損傷層和去除殘余應(yīng)力。 歐姆接觸的制備又稱電極制作,看起來簡(jiǎn)單但卻是半導(dǎo)體激光器制造中非常關(guān)鍵 的工藝步驟。器件工作時(shí)的產(chǎn)生熱量的大小和功率轉(zhuǎn)換效率的大小都與歐姆接觸工藝 好壞有關(guān)。盡管目前對(duì)GaAs、InP系列的n型、p型材料的歐姆接觸都已有成熟的工 藝,但面對(duì)開拓很多新波長(zhǎng)范圍的激光器,起過高的歐姆接觸電阻率是需要克服的障礙。

　　解理技術(shù)是將加工好的器件芯片分解為單一管芯的需要手工操作技術(shù)很強(qiáng)的工 藝。在具有管芯的襯底減薄后,用金剛石刀或解理機(jī)在晶體解理面方向適當(dāng)用力切壓 就能得到完全平行的F-P腔面。再用金剛石劃片刀和銀垂直于鏡面切割出所設(shè)計(jì)的單 個(gè)管芯。然后通過測(cè)試,蹄選出良好管芯并擇接到管殼的熱沉上,再用熱壓燥或者超 聲球煙機(jī)鍵合上金絲電極。后面進(jìn)行親合封裝就可以得到實(shí)際所需的半導(dǎo)體激光器件。